Pouvant travailler avec une tension de commande de grille de 4 V à 15 V, ce composant est optimisé pour piloter des MOSFET de niveau logique et comprend un circuit de blocage qui, en cas de sous-tension, désactive le MOSFET externe. Le signal logique d’entrée, référencé à la masse, est élevé, par un circuit interne, au niveau de la tension d’alimentation de commande de grille côté haut. Ce circuit peut fonctionner en continu jusqu’à 95 V au-dessus du potentiel de la masse. Avec 6 V de commande sur la grille, il présente un courant de crête de 1,1 A, une impédance de 1,8 ohms au blocage et permet le contrôle de plusieurs MOSFET en parallèle. Ces caractéristiques le rendent bien adapté à la commande de MOSFET dans les applications à fort courant. Ses temps rapides de montée de 10 ns et de descente de 7 ns en présence d’une charge de 1000 pF contribuent à minimiser les pertes de commutation.
\nCe driver est encapsulé en boîtier MSOP de 8 broches, à performances thermiques renforcées. La version de classe I fonctionne avec une température de jonction de -40 °C à +125 °C et la classe H s’étend de -40 °C à +150 °C. La version de classe MP est garantie de -55 °C à +150 °C, ce qui convient aux applications de l’automobile, industrielles et militaires soumises à des températures ambiantes extrêmes. <\/p>\n<\/p>\n