A mesure que la capacité des batteries d’appareils portables augmente, les dispositifs utilisés pour les recharger doivent supporter des courants et des fréquences de plus en plus élevées pour conserver des temps de charge acceptables. Ce MOSFET répond à cela avec un courant de drain (ID) DC maximum de 4 A et un courant de drain pulsé (IDP) maximum de 10 A. En outre, étant donné que la charge de grille et la capacité de ce transistor sont sensiblement réduites, la commutation peut avoir lieu plus rapidement.
\nCe transistor assure un bon rendement et autorise des vitesses de commutation élevées grâce à une conception qui réduit au maximum sa résistance à l’état passant RDS(ON) et sa capacité d’entrée CISS. Cette dernière peut descendre à 129 pF tandis que RDS(ON) est de seulement 67 mohms à une tension VGS de 4.5 V. Ceci permet de faibles pertes et autorise un fonctionnement rapide, avec un temps d’établissement (ton) de 26 ns et un temps de coupure (doff) de seulement 9 ns. La faible charge de grille Qg de 1.8 nC, avec une ID de 4 A, réduit de manière sensible la dissipation AC à 3 MHz, ce qui rend possible l’utilisation de ce transistor dans des convertisseurs DC. La configuration indépendante des deux MOSFET et le niveau élevé de protection ESD, supérieur à 2 kV, permettent aussi son utilisation dans des circuits de protection de batterie.
\nCe composant est fourni en boîtier CMS miniature UDFN6 qui ne nécessitant que 2 x 2 mm d’espace sur carte, pour une épaisseur de seulement 0.75 mm. Grâce à son boîtier très plat, ce module offre une dissipation d’énergie de 2 W et peut supporter des températures de canal jusqu’à 150 °C. <\/p>\n<\/p>\n