Une inductance à DCR aussi faible que 0,2 milliohm, sans résistance de mesure de courant, peut être utilisée pour optimiser le rendement et accroître la densité de puissance de ce convertisseur. Il accepte une gamme de tensions d’entrée de 4,5 V à 38 V et génère une tension de sortie fixe de 0,6 V à 3,5 V avec une précision de ±0,5%, dans la gamme de température de -40 °C à 125 °C.
\nSur la carte, deux amplificateurs différentiels procurent une mesure déportée vraie des deux tensions de sortie. Jusqu’à 12 phases peuvent être mises en parallèle et synchronisées en opposition de phase afin de minimiser le filtrage en entrée et en sortie. Quand les deux sorties sont en parallèle, le contrôleur maintient un déséquilibre des courants entre les deux phases inférieur à ±5%, ce qui le rend approprié pour les très fortes demandes en intensité pouvant aller jusqu’à 360 A. Les frontières programmables de l’intensité et la compensation de température de la DCR limitent, avec précision, l’intensité maximum en sortie dans la gamme de température.
\nCe circuit fonctionne à fréquence fixe pouvant être sélectionnée entre 250 kHz et 720 kHz, ou synchronisée à une horloge externe. Les puissants contrôleurs de grille canal N de 1,1 ohm intégrés minimisent les pertes de commutations du MOSFET. Le réglage de la limite d’intensité peut être effectué à partir de très faibles tensions, de 10 mV à 30 mV, afin de minimiser la perte de puissance. Le second canal possède un circuit à réponse rapide aux transitoires qui améliore les appels de courant dans la charge jusqu’à 30%.
\nLes caractéristiques supplémentaires comprennent le réglage du démarrage progressif ou du suivi de tension, la limitation du courant par repliement de caractéristique, la restauration progressive après un court-circuit, une protection contre les surtensions en sortie et un gestionnaire de la tension régulée en sortie.
\nCe composant est encapsulé en boîtier QFN 40 broches, de 6 x 6 mm. Ses applications comprennent la distribution de l’énergie à fort courant, les alimentations redondantes (n+1), les systèmes industriels, les processeurs et ASIC à consommation importante. <\/p>\n<\/p>\n