Les erreurs intermittentes causées par les rayonnements d’arrière-plan peuvent altérer le contenu de la mémoire, ce qui entraîne une perte de données critiques. Dans cette SRAM asynchrone, un composant ECC assure toutes les fonctions de correction des erreurs de manière linéaire, sans intervention de l’utilisateur, avec un des meilleurs niveaux de performances de sa catégorie en termes de taux d’erreurs intermittentes (SER). Cette mémoire rapide de 16 Mo réalise un temps d’accès de 10 ns et est compatible au niveau des broches avec les mémoires SRAM asynchrones existantes, ce qui donne la possibilité aux utilisateurs de renforcer la fiabilité des systèmes tout en conservant la configuration des circuits.
\nDisposant également de la fonction ECC, la version SRAM rapide avec ligne PowerSnooze combine le temps d’accès de 10 ns avec les faibles consommations de veille comparables à la ligne MoBL. Cette fonction PowerSnooze est un mode additionnel d’économie d’énergie en mode Deep Sleep qui opère avec un courant de veille profonde de 12 µA typique.
\nCes deux versions assurent la fiabilité des données dans une grande variété d’applications industrielles, militaires, de communication, de traitement des données, médicales et de produits destinés aux consommateurs et à l’industrie automobile.
\n"Cypress est le leader mondial incontesté dans le domaine des mémoires SRAM asynchrones, avec plus de 30 années d’expérience de conception et développement et la gamme la plus étendue du secteur," explique Sunil Thamaran, directeur général de la Division SRAM asynchrones chez Cypress. "Nos nouvelles mémoires SRAM asynchrones à 16 Mo avec fonction ECC fournissent des solutions de mémoire fiables, avec une seule puce, aussi bien pour les applications haute vitesse que pour les applications à faible consommation. Nous sommes impatients d’élargir notre offre de mémoires SRAM avec fonction ECC intégrée."
\nProposées dans les configurations standard du secteur x8, x16 et x32, ces SRAM fonctionnent avec des tensions d’alimentation de 1,8 V, 3 V ou 5 V, à des températures allant de -40 °C à +85 °C en version industrielle et de -40 °C à +125 °C en version automobile. Elles sont encapsulées en boîtiers TSOP I à 48 broches, VFBGA à 48 billes, BGA à 119 billes et TSOP II à 54 broches, tous conformes à la directive RoHS. <\/p>\n