L’\u00e9tude men\u00e9e au laboratoire commun ASML-imec High NA EUV Lithography Lab \u00e0 Veldhoven, aux Pays-Bas, montre la viabilit\u00e9 de la lithographie \u00e0 haute NA pour la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de fabrication de puces en dessous de 2 nm. Les machines de lithographie EUV \u00e0 haute NA construites par ASML aux Pays-Bas, \u00e0 commencer par la TWINSCAN EXE:5000, peuvent co\u00fbter des centaines de millions de dollars et le d\u00e9bat se poursuit sur la question de savoir si cette technique peut \u00eatre rentable.<\/p>\n
Le projet a montr\u00e9 que des structures logiques al\u00e9atoires jusqu’\u00e0 9,5 nm (pas de 19 nm), des vias al\u00e9atoires avec une distance centre \u00e0 centre de 30 nm, des caract\u00e9ristiques 2D avec un pas de 22 nm et un lay out sp\u00e9cifique DRAM \u00e0 P32nm ont \u00e9t\u00e9 imprim\u00e9s apr\u00e8s une seule exposition. Des mat\u00e9riaux et des processus de base ont \u00e9t\u00e9 utilis\u00e9s, qui ont \u00e9t\u00e9 optimis\u00e9s pour le High NA EUV dans le cadre de l’imec Advanced Patterning Programme.<\/p>\n
Avant les expositions, imec a pr\u00e9par\u00e9 des piles de plaquettes d\u00e9di\u00e9es avec des r\u00e9sines, des sous-couches et des masques photos avanc\u00e9s, et a transf\u00e9r\u00e9 les processus de base EUV High NA tels que la correction de proximit\u00e9 optique (OPC), le modelage int\u00e9gr\u00e9 et les techniques de gravure sur le scanner EUV 0,55NA.<\/p>\n
Cela confirme que l’\u00e9cosyst\u00e8me est pr\u00eat \u00e0 permettre la lithographie EUV \u00e0 haute r\u00e9solution et \u00e0 exposition unique, selon l’imec. ASML a livr\u00e9 deux machines EUV \u00e0 haute r\u00e9solution<\/a>, et Intel a r\u00e9cemment fait part de ses progr\u00e8s<\/a> en mati\u00e8re de technologie.<\/p>\n imec a r\u00e9ussi \u00e0 modeler des structures logiques al\u00e9atoires \u00e0 exposition unique avec des lignes m\u00e9talliques denses de 9,5 nm, ce qui correspond \u00e0 un pas de 19 nm et permet d’obtenir des dimensions inf\u00e9rieures \u00e0 20 nm d’une pointe \u00e0 l’autre. Les vias al\u00e9atoires avec une distance centre \u00e0 centre de 30 nm ont montr\u00e9 une excellente fid\u00e9lit\u00e9 du mod\u00e8le et une uniformit\u00e9 des dimensions critiques. En outre, les caract\u00e9ristiques 2D \u00e0 un pas de P22nm ont pr\u00e9sent\u00e9 des performances exceptionnelles, soulignant le potentiel de la lithographie \u00e0 haute NA pour permettre le routage 2D.<\/p>\n ASML, imec open joint high NA EUV lithography lab<\/a><\/p><\/blockquote>\n