Toshiba Electronics Europe annonce le lancement du SSM6L826R, un MOSFET double 30\u202fV int\u00e9grant un transistor \u00e0 canal N et un transistor \u00e0 canal P dans un m\u00eame bo\u00eetier compact TSOP6F. Cette solution s\u2019adresse aux concepteurs d\u2019\u00e9quipements grand public et industriels souhaitant optimiser la compacit\u00e9, l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la simplicit\u00e9 de leurs architectures de puissance.<\/p>\n
Avec ce composant, Toshiba propose une approche int\u00e9gr\u00e9e permettant de r\u00e9duire le nombre de composants tout en maintenant des performances \u00e9lectriques \u00e9lev\u00e9es.<\/p>\n
Le SSM6L826R combine un MOSFET \u00e0 canal N bas\u00e9 sur le proc\u00e9d\u00e9 UMOSVIIH et un MOSFET \u00e0 canal P reposant sur le proc\u00e9d\u00e9 UMOSVI, r\u00e9unis dans un seul bo\u00eetier de 2,9 \u00d7 2,8 \u00d7 0,8 mm. Cette int\u00e9gration permet de remplacer des configurations discr\u00e8tes multiples par une solution unique, r\u00e9duisant la complexit\u00e9 des sch\u00e9mas et l\u2019encombrement sur les circuits imprim\u00e9s.<\/p>\n
Cette architecture est particuli\u00e8rement adapt\u00e9e aux applications de commande moteur, notamment pour les moteurs BLDC monophas\u00e9s, les moteurs \u00e0 courant continu \u00e0 balais ou encore la commutation de charges dans les lignes d\u2019alimentation.<\/p>\n
Le composant se distingue par des valeurs de r\u00e9sistance RDS(ON) faibles et \u00e9quilibr\u00e9es, atteignant 46 m\u03a9 maximum \u00e0 10 V pour le canal N et 45 m\u03a9 maximum \u00e0 \u201310 V pour le canal P. Cette sym\u00e9trie permet de maintenir des pertes de conduction homog\u00e8nes entre les deux transistors, simplifiant l\u2019optimisation des circuits et am\u00e9liorant l\u2019efficacit\u00e9 globale.<\/p>\n
Cette caract\u00e9ristique est particuli\u00e8rement utile dans les applications n\u00e9cessitant des performances stables et pr\u00e9visibles.<\/p>\n
Le bo\u00eetier TSOP6F compact avec broches plates facilite l\u2019int\u00e9gration dans des syst\u00e8mes \u00e0 forte densit\u00e9, tout en permettant une fabrication compatible avec les processus d\u2019assemblage automatis\u00e9s. En r\u00e9duisant la surface occup\u00e9e sur la carte et le nombre de composants n\u00e9cessaires, le SSM6L826R contribue \u00e0 diminuer les co\u00fbts de nomenclature et \u00e0 simplifier la production.<\/p>\n
Cette capacit\u00e9 \u00e0 combiner compacit\u00e9 et performance r\u00e9pond aux besoins actuels de miniaturisation des \u00e9quipements \u00e9lectroniques.<\/p>\n
Avec ce lancement, Toshiba enrichit sa gamme de MOSFET doubles en bo\u00eetier TSOP6F, qui comprend d\u00e9sormais plusieurs configurations incluant des doubles canaux N, des doubles canaux P et des solutions compl\u00e9mentaires N+P. Cette diversit\u00e9 permet aux concepteurs de s\u00e9lectionner la configuration la plus adapt\u00e9e \u00e0 leurs applications sp\u00e9cifiques.<\/p>\n
Cette strat\u00e9gie s\u2019inscrit dans une d\u00e9marche visant \u00e0 accompagner l\u2019\u00e9volution des syst\u00e8mes vers davantage d\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et de densit\u00e9 d\u2019int\u00e9gration.<\/p>\n