Cambridge GaN Devices (CGD) a annonc\u00e9 le d\u00e9veloppement d\u2019un nouveau composant ICeGaN 650 V destin\u00e9 aux applications automobiles, con\u00e7u pour am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 des onduleurs et contribuer \u00e0 l\u2019extension de l\u2019autonomie des v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
Dans un contexte o\u00f9 l\u2019optimisation des syst\u00e8mes de propulsion est un levier cl\u00e9 pour acc\u00e9l\u00e9rer l\u2019adoption des v\u00e9hicules \u00e9lectriques, cette solution s\u2019appuie sur les avantages intrins\u00e8ques du GaN pour r\u00e9duire les pertes et am\u00e9liorer les performances globales.<\/p>\n
Le dispositif se distingue par une faible r\u00e9sistance \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant de 9 m\u03a9, r\u00e9duisant significativement les pertes de conduction dans la cha\u00eene de traction. Cette am\u00e9lioration se traduit par une diminution de la dissipation thermique et, par cons\u00e9quent, par une r\u00e9duction des besoins en gestion thermique.<\/p>\n
En parall\u00e8le, la capacit\u00e9 de commutation \u00e0 haute fr\u00e9quence permet de concevoir des syst\u00e8mes plus compacts et plus l\u00e9gers, en r\u00e9duisant la taille des composants passifs associ\u00e9s. Cette combinaison favorise une augmentation de la densit\u00e9 de puissance et contribue directement \u00e0 l\u2019am\u00e9lioration de l\u2019autonomie des v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
L\u2019un des d\u00e9fis majeurs dans les architectures de puissance bas\u00e9es sur le GaN r\u00e9side dans l\u2019\u00e9quilibrage des dispositifs lorsqu\u2019ils sont utilis\u00e9s en parall\u00e8le. Le dispositif ICeGaN int\u00e8gre une interface sp\u00e9cifique permettant d\u2019assurer un \u00e9quilibrage intrins\u00e8que entre les composants, sans n\u00e9cessiter de s\u00e9lection rigoureuse des dispositifs ni d\u2019ajout de circuits d\u2019\u00e9quilibrage.<\/p>\n
Cette approche simplifie consid\u00e9rablement la conception des syst\u00e8mes de puissance et r\u00e9duit la complexit\u00e9 globale des onduleurs.<\/p>\n
Le composant int\u00e8gre \u00e9galement une interface optimis\u00e9e avec les circuits de commande de grille, facilitant son int\u00e9gration dans les architectures d\u2019onduleurs automobiles. Un transistor auxiliaire assure la suppression des perturbations parasites issues des boucles de commande, renfor\u00e7ant ainsi l\u2019immunit\u00e9 au bruit.<\/p>\n
Cette robustesse est essentielle dans les environnements automobiles, o\u00f9 les conditions \u00e9lectromagn\u00e9tiques peuvent \u00eatre particuli\u00e8rement exigeantes.<\/p>\n
Le dispositif inclut une fonction de mesure de temp\u00e9rature int\u00e9gr\u00e9e, permettant d\u2019am\u00e9liorer le contr\u00f4le du syst\u00e8me et d\u2019optimiser les strat\u00e9gies de gestion thermique. Cette capacit\u00e9 contribue \u00e9galement au diagnostic et \u00e0 la surveillance des performances, renfor\u00e7ant la fiabilit\u00e9 des groupes motopropulseurs \u00e9lectriques.<\/p>\n
CGD a \u00e9galement d\u00e9montr\u00e9 l\u2019utilisation de cette technologie dans un onduleur GaN multiniveau fonctionnant \u00e0 800 VDC, capable de d\u00e9livrer plus de 100 kW en pointe et 75 kW en continu. Ces performances illustrent le potentiel de la technologie pour une large gamme d\u2019applications d\u2019\u00e9lectrification haute tension.<\/p>\n
Le d\u00e9veloppement de ces dispositifs s\u2019inscrit dans une strat\u00e9gie industrielle reposant sur un mod\u00e8le fabless, avec une collaboration avec GlobalFoundries, permettant de s\u00e9curiser la production et de renforcer la cha\u00eene d\u2019approvisionnement.<\/p>\n
Les prototypes sont actuellement en phase d\u2019\u00e9chantillonnage et font l\u2019objet de collaborations avec des constructeurs automobiles et des \u00e9quipementiers de rang 1 pour leur int\u00e9gration dans des syst\u00e8mes de propulsion.<\/p>\n