Cambridge GaN Devices (CGD) et NXP Semiconductors annoncent une collaboration strat\u00e9gique visant \u00e0 acc\u00e9l\u00e9rer le d\u00e9veloppement et la mise sur le march\u00e9 de solutions de conversion de puissance bas\u00e9es sur le nitrure de gallium (GaN). Ce partenariat cible des march\u00e9s en forte croissance tels que les centres de donn\u00e9es et l\u2019automobile.<\/p>\n
Dans un contexte o\u00f9 la demande \u00e9nerg\u00e9tique ne cesse d\u2019augmenter, notamment sous l\u2019effet de l\u2019intelligence artificielle, l\u2019am\u00e9lioration de l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique devient une priorit\u00e9. Les technologies GaN, gr\u00e2ce \u00e0 leurs propri\u00e9t\u00e9s physiques, offrent des performances sup\u00e9rieures aux solutions traditionnelles en silicium.<\/p>\n
Cette alliance permet \u00e0 NXP d\u2019exploiter les dispositifs GaN avanc\u00e9s de CGD pour d\u00e9velopper des solutions de conversion de puissance int\u00e9gr\u00e9es, tout en b\u00e9n\u00e9ficiant d\u2019un acc\u00e8s anticip\u00e9 aux futures g\u00e9n\u00e9rations technologiques.<\/p>\n
De son c\u00f4t\u00e9, CGD peut s\u2019appuyer sur le portefeuille \u00e9tendu de processeurs et de solutions analogiques de NXP, ainsi que sur son expertise en architectures syst\u00e8me, afin d\u2019acc\u00e9l\u00e9rer l\u2019int\u00e9gration des technologies GaN dans des applications concr\u00e8tes.<\/p>\n
Cette approche conjointe favorise le d\u00e9veloppement de solutions optimis\u00e9es au niveau syst\u00e8me, plut\u00f4t que de simples composants isol\u00e9s.<\/p>\n
La croissance rapide des centres de donn\u00e9es, aliment\u00e9e par les charges de travail li\u00e9es \u00e0 l\u2019IA, entra\u00eene une augmentation significative des besoins en puissance. Les architectures modernes n\u00e9cessitent des convertisseurs capables de g\u00e9rer des densit\u00e9s de puissance \u00e9lev\u00e9es tout en maintenant un rendement optimal.<\/p>\n
Les dispositifs GaN permettent des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es, r\u00e9duisant les pertes et am\u00e9liorant l\u2019efficacit\u00e9 globale. Cette capacit\u00e9 est essentielle pour r\u00e9pondre aux exigences des infrastructures num\u00e9riques modernes.<\/p>\n
Dans le domaine automobile, notamment pour les onduleurs de traction, les solutions GaN offrent des avantages en termes d\u2019efficacit\u00e9, en particulier \u00e0 faible charge. La technologie ICeGaN de CGD permet \u00e9galement de simplifier l\u2019impl\u00e9mentation en utilisant des drivers standards et en facilitant la mise en parall\u00e8le de plusieurs dispositifs pour atteindre des niveaux de courant \u00e9lev\u00e9s.<\/p>\n
Cette flexibilit\u00e9 contribue \u00e0 am\u00e9liorer les performances des syst\u00e8mes tout en r\u00e9duisant la complexit\u00e9 de conception.<\/p>\n
La combinaison des expertises de CGD et de NXP permet de r\u00e9pondre aux exigences croissantes en mati\u00e8re de densit\u00e9 de puissance, de fiabilit\u00e9 et de durabilit\u00e9. Cette collaboration s\u2019inscrit dans une dynamique globale visant \u00e0 am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des syst\u00e8mes \u00e9lectroniques.<\/p>\n
Elle illustre \u00e9galement l\u2019\u00e9volution du march\u00e9 vers des solutions int\u00e9gr\u00e9es, capables de transformer les gains technologiques en avantages concrets pour les applications industrielles.<\/p>\n
Pour les ing\u00e9nieurs en \u00e9lectronique de puissance, cette collaboration confirme que le GaN s\u2019impose comme une technologie cl\u00e9 pour les syst\u00e8mes de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration. L\u2019int\u00e9gration au niveau syst\u00e8me permet d\u00e9sormais de maximiser les gains en efficacit\u00e9, densit\u00e9 de puissance et fiabilit\u00e9, notamment dans les applications data center et automotive.<\/em><\/p>\n Cambridge GaN Devices (CGD)<\/a> | NXP Semiconductors<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Cambridge GaN Devices (CGD) et NXP Semiconductors annoncent une collaboration strat\u00e9gique visant \u00e0 acc\u00e9l\u00e9rer le d\u00e9veloppement et la mise sur le march\u00e9 de solutions de conversion de puissance bas\u00e9es sur le nitrure de gallium (GaN). Ce partenariat cible des march\u00e9s en forte croissance tels que les centres de donn\u00e9es et l\u2019automobile. Dans un contexte o\u00f9 […]<\/p>\n","protected":false},"author":39,"featured_media":496863,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[886],"tags":[6821,3897,6697],"domains":[47],"ppma_author":[6113],"class_list":["post-496856","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-news-fr","tag-collaboration","tag-gan-fr-2","tag-nitrure-de-gallium","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"