Toshiba lance le MOSFET double SSM6L826R pour des conceptions plus compactes et efficientes
Toshiba Electronics Europe annonce le lancement du SSM6L826R, un MOSFET double 30 V intégrant un transistor à canal N et un transistor à canal P dans un même boîtier compact TSOP6F. Cette solution s’adresse aux concepteurs d’équipements grand public et industriels souhaitant optimiser la compacité, l’efficacité énergétique et la simplicité de leurs architectures de puissance.
Avec ce composant, Toshiba propose une approche intégrée permettant de réduire le nombre de composants tout en maintenant des performances électriques élevées.
Une intégration complémentaire pour simplifier la conception
Le SSM6L826R combine un MOSFET à canal N basé sur le procédé UMOSVIIH et un MOSFET à canal P reposant sur le procédé UMOSVI, réunis dans un seul boîtier de 2,9 × 2,8 × 0,8 mm. Cette intégration permet de remplacer des configurations discrètes multiples par une solution unique, réduisant la complexité des schémas et l’encombrement sur les circuits imprimés.
Cette architecture est particulièrement adaptée aux applications de commande moteur, notamment pour les moteurs BLDC monophasés, les moteurs à courant continu à balais ou encore la commutation de charges dans les lignes d’alimentation.
Des performances équilibrées pour une efficacité optimisée
Le composant se distingue par des valeurs de résistance RDS(ON) faibles et équilibrées, atteignant 46 mΩ maximum à 10 V pour le canal N et 45 mΩ maximum à –10 V pour le canal P. Cette symétrie permet de maintenir des pertes de conduction homogènes entre les deux transistors, simplifiant l’optimisation des circuits et améliorant l’efficacité globale.
Cette caractéristique est particulièrement utile dans les applications nécessitant des performances stables et prévisibles.
Une solution pensée pour la miniaturisation des systèmes
Le boîtier TSOP6F compact avec broches plates facilite l’intégration dans des systèmes à forte densité, tout en permettant une fabrication compatible avec les processus d’assemblage automatisés. En réduisant la surface occupée sur la carte et le nombre de composants nécessaires, le SSM6L826R contribue à diminuer les coûts de nomenclature et à simplifier la production.
Cette capacité à combiner compacité et performance répond aux besoins actuels de miniaturisation des équipements électroniques.
Une extension de la gamme MOSFET Toshiba
Avec ce lancement, Toshiba enrichit sa gamme de MOSFET doubles en boîtier TSOP6F, qui comprend désormais plusieurs configurations incluant des doubles canaux N, des doubles canaux P et des solutions complémentaires N+P. Cette diversité permet aux concepteurs de sélectionner la configuration la plus adaptée à leurs applications spécifiques.
Cette stratégie s’inscrit dans une démarche visant à accompagner l’évolution des systèmes vers davantage d’efficacité énergétique et de densité d’intégration.
Pour les ingénieurs en électronique de puissance, ce composant illustre une tendance majeure : l’intégration de fonctions complémentaires dans des boîtiers compacts permet de réduire les pertes, simplifier les architectures et optimiser les coûts, tout en répondant aux exigences de miniaturisation des systèmes modernes.
Toshiba Electronics Europe GmbH
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